Indium Arsenide InAs

Maelezo

Kioo cha Indium arsenide InAs ni semicondukta kiwanja cha kikundi cha III-V kilichosanifiwa na angalau 6N 7N safi ya kipengele cha Indium na Arseniki na kioo kimoja kilichokuzwa na VGF au mchakato wa Liquid Encapsulated Czochralski ( LEC ), mwonekano wa rangi ya kijivu, fuwele za ujazo zenye muundo wa zinki-blende. , kiwango myeyuko cha 942 °C.Pengo la bendi ya arsenide ya Indium ni mpito wa moja kwa moja unaofanana na gallium arsenide, na upana wa bendi uliokatazwa ni 0.45eV (300K).Kioo cha InAs kina usawa wa juu wa vigezo vya umeme, kimiani kisichobadilika, uhamaji mkubwa wa elektroni na msongamano wa chini wa kasoro.Fuwele ya InAs ya silinda inayokuzwa na VGF au LEC inaweza kukatwakatwa na kutengenezwa kuwa kaki iliyokatwa, iliyochongwa, iliyong'olewa au epi-tayari kwa ukuaji wa epitaxial wa MBE au MOCVD.

Maombi

Kaki ya kioo ya Indium arsenide ni sehemu ndogo ya kutengeneza vifaa vya Ukumbi na kihisi cha uga sumaku kwa utembeaji wake wa juu zaidi wa ukumbi lakini utepe mwembamba wa nishati, nyenzo bora kwa ajili ya ujenzi wa vitambuaji vya infrared na masafa ya mawimbi ya 1–3.8 µm vinavyotumika katika matumizi ya nishati ya juu zaidi. katika halijoto ya kawaida, pamoja na leza za kimiani za juu za infrared za urefu wa kati, utengenezaji wa vifaa vya LED vya infrared kwa masafa yake ya urefu wa 2-14 μm.Zaidi ya hayo, InAs ni sehemu ndogo bora ya kusaidia zaidi InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb au muundo wa kimiani bora wa AlGaSb n.k.

Uchunguzi sasa

Maelezo

Lebo

Uainishaji wa Kiufundi

Indium Arsenide

KatikaAs

Indium Arsenide Crystal Waferni sehemu ndogo nzuri ya kutengenezea vifaa vya Ukumbi na kihisi cha uga sumaku kwa utembeaji wake wa juu zaidi wa ukumbi lakini utepe mwembamba wa nishati, nyenzo bora kwa ajili ya ujenzi wa vigunduzi vya infrared na masafa ya mawimbi ya 1–3.8 µm inayotumika katika matumizi ya nishati ya juu kwenye joto la kawaida, pamoja na leza za kimiani za juu za infrared za urefu wa kati, utengenezaji wa vifaa vya LED vya infrared kwa masafa yake ya urefu wa 2-14 μm.Zaidi ya hayo, InAs ni sehemu ndogo bora ya kusaidia zaidi InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb au muundo wa kimiani wa AlGaSb n.k.

Hapana.	Vipengee	Vipimo vya Kawaida
1	Ukubwa	2"	3"	4"
2	Kipenyo mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Njia ya Ukuaji	LEC	LEC	LEC
4	Uendeshaji	P-aina/Zn-doped, N-aina/S-doped, Un-doped
5	Mwelekeo	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Unene μm	500±25	600±25	800±25
7	Mwelekeo Flat mm	16±2	22±2	32±2
8	Kitambulisho Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Uhamaji cm2/Vs	60-300, ≥2000 au inavyotakiwa
10	Mkusanyiko wa Mtoa huduma cm-3	(3-80)E17 au ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Upinde μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Uzito Wiani cm-2 max	1000	2000	5000
15	Uso Maliza	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ufungashaji	Chombo kimoja cha kaki kilichofungwa kwenye mfuko wa Aluminium.

Mfumo wa mstari	KatikaAs
Uzito wa Masi	189.74
Muundo wa kioo	Mchanganyiko wa zinki
Mwonekano	Imara ya fuwele ya kijivu
Kiwango cha kuyeyuka	(936-942)°C
Kuchemka	N/A
Msongamano wa 300K	5.67 g/cm³
Pengo la Nishati	0.354 eV
Upinzani wa Ndani	0.16 Ω-cm
Nambari ya CAS	1303-11-3
Nambari ya EC	215-115-3

Indium Arsenide InAskatika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kama donge la polycrystalline au fuwele moja iliyokatwa, iliyochongwa, iliyosafishwa, au epi-tayari ya ukubwa wa 2" 3" na 4" (50mm, 75mm,100mm) kipenyo, na p-aina, n-aina au un-doped conductivity na <111> au <100> mwelekeo.Vipimo vilivyobinafsishwa ni kwa suluhisho kamili kwa wateja wetu ulimwenguni kote.