Gallium Antimonide GaSb

Maelezo

Gallium Antimonide GaSb, semicondukta ya misombo ya kikundi III–V yenye muundo wa kimiani ya zinki-blende, imeunganishwa na galliamu ya usafi wa hali ya juu ya 6N 7N na vipengele vya antimoni, na kukua hadi kioo kwa mbinu ya LEC kutoka kwa ingoti ya polycrystalline iliyogandishwa kwa mwelekeo au njia ya VGF kwa EPD<1000cm.^-3.Kaki ya GaSb inaweza kukatwa na kutengenezwa baadaye kutoka kwa ingoti moja ya fuwele yenye usawa wa juu wa vigezo vya umeme, miundo ya kipekee na isiyobadilika ya kimiani, na msongamano wa chini wa kasoro, fahirisi ya juu zaidi ya kuakisi kuliko misombo mingine mingi isiyo ya metali.GaSb inaweza kuchakatwa kwa chaguo pana katika uelekeo kamili au wa kuzima, ukolezi wa chini au wa juu wa dope, umaliziaji mzuri wa uso na kwa ukuaji wa epitaxial wa MBE au MOCVD.Sehemu ndogo ya Gallium Antimonide inatumika katika programu za kisasa zaidi za kupiga picha na optoelectronic kama vile uundaji wa vigunduzi vya picha, vigunduzi vya infrared vilivyo na maisha marefu, unyeti wa hali ya juu na kutegemewa, kijenzi cha kupiga picha, LED na leza za infrared, transistors, seli ya joto ya photovoltaic. na mifumo ya thermo-photovoltaic.

Uwasilishaji

Gallium Antimonide GaSb katika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kwa aina ya n, p-aina na upenyezaji wa kuhami nusu ambao haujafunguliwa kwa ukubwa wa 2" 3" na 4" (50mm, 75mm, 100mm) kipenyo, mwelekeo <111> au <100>, na sehemu ya kaki iliyokamilishwa ya kama-iliyokatwa, iliyochorwa, iliyong'aa au ya hali ya juu ya epitaksi iliyokamilika.Vipande vyote vimeandikwa leza moja kwa moja kwa utambulisho.Wakati huo huo, donge la polycrystalline gallium antimonide GaSb pia limeboreshwa baada ya ombi la suluhisho kamili.

Uchunguzi sasa

Maelezo

Lebo

Uainishaji wa Kiufundi

Antimonide ya Galliamu

GaSb

Gallium Antimonide GaSbsubstrate inatumika katika programu za kisasa zaidi za kupiga picha na optoelectronic kama vile uundaji wa vigunduzi vya picha, vigunduzi vya infrared vilivyo na maisha marefu, unyeti wa hali ya juu na kutegemewa, kijenzi cha kupiga picha, LED na leza za infrared, transistors, seli ya joto ya photovoltaic na thermo. - mifumo ya photovoltaic.

	Vipengee	Vipimo vya Kawaida
1	Ukubwa	2"	3"	4"
2	Kipenyo mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Njia ya Ukuaji	LEC	LEC	LEC
4	Uendeshaji	P-aina/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	Mwelekeo	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Unene μm	500±25	600±25	800±25
7	Mwelekeo Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Kitambulisho Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Uhamaji cm2/Vs	200-3500 au inavyotakiwa
10	Mkusanyiko wa Mtoa huduma cm-3	(1-100)E17 au inavyohitajika
11	TTV μm max	15	15	15
12	Upinde μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Uzito Wiani cm-2 max	500	1000	2000
15	Uso Maliza	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ufungashaji	Chombo kimoja cha kaki kilichofungwa kwenye mfuko wa Aluminium.

Mfumo wa mstari	GaSb
Uzito wa Masi	191.48
Muundo wa kioo	Mchanganyiko wa zinki
Mwonekano	Imara ya fuwele ya kijivu
Kiwango cha kuyeyuka	710°C
Kuchemka	N/A
Msongamano wa 300K	5.61 g/cm³
Pengo la Nishati	0.726 eV
Upinzani wa ndani	1E3 Ω-cm
Nambari ya CAS	12064-03-8
Nambari ya EC	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbkatika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kwa aina ya n-aina, p-aina ya undeshaji wa kuhami nusu isiyofunguliwa kwa ukubwa wa 2" 3" na 4" kipenyo (50mm, 75mm, 100mm), mwelekeo <111> au <100 >, na sehemu ya kaki iliyokamilishwa ya kama-iliyokatwa, iliyochorwa, iliyong'arishwa au iliyo tayari ya ubora wa juu ya epitaksi.Vipande vyote vimeandikwa leza moja kwa moja kwa utambulisho.Wakati huo huo, donge la polycrystalline gallium antimonide GaSb pia limeboreshwa baada ya ombi la suluhisho kamili.