Gallium Nitride GaN

Maelezo

Gallium Nitride GaN, CAS 25617-97-4, molekuli ya molekuli 83.73, muundo wa fuwele wa wurtzite, ni semicondukta ya kiwanja cha moja kwa moja ya bendi-pengo la kikundi III-V iliyokuzwa kwa njia ya mchakato wa ammonothermal iliyokuzwa sana.Gallium Nitride GaN ina sifa zinazohitajika katika optoelectronics na utumizi wa vihisi, ikiwa na ubora kamilifu wa fuwele, upitishaji wa juu wa mafuta, uhamaji wa juu wa elektroni, uwanja wa juu wa umeme muhimu na pengo pana.

Maombi

Gallium Nitride GaN inafaa kwa ajili ya utengenezaji wa vifaa vya LED vya kasi ya juu na vyenye uwezo wa juu, vifaa vya leza na optoelectronics kama vile leza za kijani na bluu, bidhaa za transistors za elektroni za juu (HEMTs) na zenye nguvu nyingi. na tasnia ya utengenezaji wa vifaa vya joto la juu.

Uwasilishaji

Gallium Nitride GaN at Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kwa ukubwa wa kaki ya mviringo inchi 2 ” au 4 ” (50mm, 100mm) na kaki ya mraba 10×10 au 10×5 mm.Ukubwa wowote uliobinafsishwa na vipimo ni kwa suluhisho kamili kwa wateja wetu ulimwenguni kote.

Uchunguzi sasa

Maelezo

Lebo

Uainishaji wa Kiufundi

Gallium Nitride GaN

Gallium Nitride GaNkatika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kwa ukubwa wa kaki ya mviringo inchi 2 ” au 4 ” (50mm, 100mm) na kaki ya mraba 10×10 au 10×5 mm.Ukubwa wowote uliobinafsishwa na vipimo ni kwa suluhisho kamili kwa wateja wetu ulimwenguni kote.

Hapana.	Vipengee	Vipimo vya Kawaida
1	Umbo	Mviringo	Mviringo	Mraba
2	Ukubwa	2"	4"	--
3	Kipenyo mm	50.8±0.5	100±0.5	--
4	Urefu wa upande mm	--	--	10x10 au 10x5
5	Njia ya Ukuaji	HVPE	HVPE	HVPE
6	Mwelekeo	C-ndege (0001)	C-ndege (0001)	C-ndege (0001)
7	Aina ya Uendeshaji	N-aina/Si-doped, Un-doped, Semi-insulating
8	Upinzani Ω-cm	<0.1, <0.05, >1E6
9	Unene μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Upinde μm max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Uso Maliza	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Ukali wa Uso	Mbele: ≤0.2nm, Nyuma: 0.5-1.5μm au ≤0.2nm
15	Ufungashaji	Chombo kimoja cha kaki kilichofungwa kwenye mfuko wa Aluminium.

Mfumo wa mstari	GaN
Uzito wa Masi	83.73
Muundo wa kioo	Mchanganyiko wa zinki/Wurzite
Mwonekano	Imara ya uwazi
Kiwango cha kuyeyuka	2500 °C
Kuchemka	N/A
Msongamano wa 300K	6.15 g/cm³
Pengo la Nishati	(3.2-3.29) eV katika 300K
Upinzani wa ndani	>1E8 Ω-cm
Nambari ya CAS	25617-97-4
Nambari ya EC	247-129-0

Gallium Nitride GaNyanafaa kwa ajili ya utengenezaji wa vifaa vya kisasa vya kasi ya juu na vyenye uwezo wa juu vipengee vya LED vya diodi zinazotoa mwangaza, vifaa vya leza na optoelectronics kama vile leza za kijani na bluu, bidhaa za transistors za elektroni za juu (HEMTs) na zenye nguvu ya juu na za juu- tasnia ya utengenezaji wa vifaa vya joto.