Indium Antimonide InSb

Maelezo

Indium Antimonide InSb, semiconductor ya kundi la misombo ya fuwele ya III–V yenye muundo wa kimiani ya zinki-blende, imeunganishwa na 6N 7N ya usafi wa hali ya juu ya Indium na vipengele vya antimoni, na kukuzwa kioo kimoja kwa mbinu ya VGF au njia ya Liquid Encapsulated Czochralski LEC kutoka kwa ingoti nyingi za kanda iliyosafishwa ya polycrystalline, ambayo inaweza kukatwakatwa na kutengenezwa kuwa kaki na kuzuia baadaye.InSb ni semiconductor ya mpito ya moja kwa moja na pengo nyembamba ya bendi ya 0.17eV kwenye joto la kawaida, unyeti wa juu kwa urefu wa 1-5μm na uhamaji wa juu wa ukumbi.Indium Antimonide InSb n-aina, p-aina na nusu-insulating conductivity katika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kwa ukubwa wa 1″ 2″ 3″ na 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) kipenyo, mwelekeo < 111> au <100>, na yenye uso wa kaki iliyokamilishwa kama-iliyokatwa, iliyoning'inia, iliyowekwa na iliyong'olewa.Indium Antimonide InSb inayolengwa ya Dia.50-80mm yenye aina ya n-un-doped inapatikana pia.Wakati huo huo, antimonide ya polycrystalline indium InSb (multicrystal InSb) yenye ukubwa wa uvimbe usio wa kawaida, au tupu (15-40) x (40-80)mm, na upau wa duara wa D30-80mm pia hubinafsishwa unapoombwa kupata suluhisho bora.

Maombi

Indium Antimonide InSb ni sehemu ndogo bora kwa ajili ya utengenezaji wa vijenzi na vifaa vingi vya kisasa, kama vile suluhu ya hali ya juu ya upigaji picha, mfumo wa FLIR, kipengele cha ukumbi na kipengele cha athari ya magnetoresistance, mfumo wa uongozi wa kombora la infrared homing, sensor inayojibu sana ya infrared photodetector. , kitambuzi cha usahihi wa hali ya juu cha sumaku na cha mzunguko, safu za upangaji focal, na pia kubadilishwa kuwa chanzo cha mionzi ya terahertz na darubini ya anga ya juu ya angavu n.k.

Uchunguzi sasa

Maelezo

Lebo

Uainishaji wa Kiufundi

Antimonide ya Indium

InSb

Sehemu ndogo ya Antimonide ya Indium(Njia ndogo ya InSb, Kaki ya InSb) n-aina au p-aina katika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kwa ukubwa wa 1" 2" 3" na 4" (30, 50, 75 na 100mm) kipenyo, mwelekeo <111> au <100>, na na sehemu ya kaki iliyo na laini iliyoning'inia, iliyochongwa, iliyong'olewa.Pau Moja ya Kioo cha Indium Antimonide (InSb Monocrystal bar) inaweza pia kutolewa kwa ombi.

Antimonide ya IndiumPolycrystalline (InSb Polycrystalline, au multicrystal InSb) yenye ukubwa wa uvimbe usio wa kawaida, au tupu (15-40)x(40-80)mm pia hubinafsishwa inapoombwa kupata suluhisho bora.

Wakati huo huo, Lengo la Indium Antimonide (InSb Target) la Dia.50-80mm na aina ya n-isiyo na doped pia linapatikana.

Hapana.	Vipengee	Vipimo vya Kawaida
1	Sehemu ndogo ya Antimonide ya Indium	2"	3"	4"
2	Kipenyo mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Njia ya Ukuaji	LEC	LEC	LEC
4	Uendeshaji	P-aina/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	Mwelekeo	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Unene μm	500±25	600±25	800±25
7	Mwelekeo Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Kitambulisho Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Uhamaji cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 au ≤8E13 P/Ge-doped
10	Mkusanyiko wa Mtoa huduma cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 au <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm max	15	15	15
12	Upinde μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Uzito Wiani cm-2 max	50	50	50
15	Uso Maliza	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ufungashaji	Chombo kimoja cha kaki kilichofungwa kwenye mfuko wa Aluminium.

Hapana.	Vipengee	Vipimo vya Kawaida
Hapana.	Vipengee	Indium Antimonide Polycrystalline	Lengo la Indium Antimonide
1	Uendeshaji	Imetenguliwa	Imetenguliwa
2	Mkusanyiko wa Mtoa huduma cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Uhamaji cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Ukubwa	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Ufungashaji	Katika begi la alumini iliyojumuishwa, sanduku la katoni nje

Mfumo wa mstari	InSb
Uzito wa Masi	236.58
Muundo wa kioo	Mchanganyiko wa zinki
Mwonekano	Fuwele za metali za kijivu giza
Kiwango cha kuyeyuka	527 °C
Kuchemka	N/A
Msongamano wa 300K	5.78 g/cm³
Pengo la Nishati	0.17 eV
Upinzani wa ndani	4E(-3) Ω-cm
Nambari ya CAS	1312-41-0
Nambari ya EC	215-192-3

Indium Antimonide InSbkaki ni sehemu ndogo bora ya utengenezaji wa vipengee na vifaa vingi vya hali ya juu, kama vile suluhisho la hali ya juu la upigaji picha, mfumo wa FLIR, kipengele cha ukumbi na kipengele cha athari ya magnetoresistance, mfumo wa uongozi wa kombora la infrared homing, sensor inayoitikia sana ya infrared photodetector, juu. -kihisi cha ustahimilivu wa sumaku na mzunguko, safu focal planar, na pia kurekebishwa kama chanzo cha mionzi ya terahertz na darubini ya anga ya infrared n.k.