Kaki ya Silicon ya CZ

Maelezo

CZ Single Crystal Silicon Kaki hukatwa kutoka kwa ingoti moja ya silicon ya fuwele inayovutwa na mbinu ya ukuaji ya Czochralski CZ, ambayo hutumiwa sana kwa ukuaji wa fuwele ya silicon ya ingo kubwa za silinda zinazotumiwa katika tasnia ya elektroniki kutengeneza vifaa vya semiconductor.Katika mchakato huu, mbegu ndogo ya silikoni ya fuwele yenye ustahimilivu sahihi wa uelekeo huletwa kwenye beseni iliyoyeyushwa ya silikoni ambayo halijoto yake inadhibitiwa kwa usahihi.Kioo cha mbegu huvutwa polepole kuelekea juu kutoka kwenye kuyeyuka kwa kiwango kinachodhibitiwa sana, ugandishaji wa fuwele wa atomi kutoka kwa awamu ya kioevu hutokea kwenye kiolesura, kioo cha mbegu na crucible huzungushwa kwa mwelekeo tofauti wakati wa mchakato huu wa uondoaji, na kuunda moja kubwa. silikoni ya fuwele yenye muundo kamili wa fuwele wa mbegu.

Shukrani kwa uga wa sumaku unaotumika kwa uvutaji wa kawaida wa CZ wa ingot, silikoni ya fuwele ya Czochralski MCZ inayotokana na sumaku ina kiwango cha chini cha uchafuzi wa mazingira, kiwango cha chini cha oksijeni na mtengano, na utofauti unaofanana wa uwezo wa kustahimili hali ya hewa ambayo hufanya kazi vyema katika vipengele na vifaa vya kielektroniki vya teknolojia ya juu. utengenezaji katika tasnia ya elektroniki au photovoltaic.

Uwasilishaji

CZ au MCZ Single Crystal Silicon Kaki ya aina ya n na p-aina ya conductivity katika Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kuwasilishwa kwa ukubwa wa 2, 3, 4, 6, 8 na 12 inchi kipenyo (50, 75, 100, 125, 150, 200 na 300mm), mkao <100>, <110>, <111> ikiwa na uso wa kukunja wa lapped, uliochongwa na kung'aa kwenye kifurushi cha sanduku la povu au kaseti yenye sanduku la katoni nje.

Uchunguzi sasa

Maelezo

Lebo

Uainishaji wa Kiufundi

Kaki ya Silicon ya CZ

CZ Single Crystal Silicon Kaki ni nyenzo ya msingi katika uzalishaji wa nyaya jumuishi, diodi, transistors, vipengele tofauti, vinavyotumiwa katika aina zote za vifaa vya elektroniki na vifaa vya semiconductor, pamoja na substrate katika usindikaji wa epitaxial, substrate ya SOI ya kaki au utengenezaji wa kaki wa kiwanja cha kuhami nusu, hasa kubwa. kipenyo cha 200mm, 250mm na 300mm ni bora kwa utengenezaji wa vifaa vya hali ya juu vilivyojumuishwa.Silicon ya Crystal Single pia hutumiwa kwa seli za jua kwa wingi na sekta ya photovoltaic, ambayo karibu muundo kamili wa kioo hutoa ufanisi wa juu zaidi wa ubadilishaji wa mwanga hadi umeme.

Hapana.	Vipengee	Vipimo vya Kawaida
1	Ukubwa	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Kipenyo mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Uendeshaji	P au N au isiyo na doped
4	Mwelekeo	<100>, <110>, <111>
5	Unene μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 au inavyohitajika
6	Upinzani Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 nk
7	Upeo wa RRV	8%, 10%, 12%
8	Gorofa ya Msingi/Urefu mm	Kama kiwango cha SEMI au inavyohitajika
9	Gorofa ya Sekondari/Urefu mm	Kama kiwango cha SEMI au inavyohitajika
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Uso Maliza	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Ufungashaji	Sanduku la povu au kaseti ndani, sanduku la katoni nje.

Alama	Si
Nambari ya Atomiki	14
Uzito wa Atomiki	28.09
Kitengo cha Kipengele	Metalloid
Kikundi, Kipindi, Zuia	14, 3, uk
Muundo wa kioo	Almasi
Rangi	Kijivu giza
Kiwango cha kuyeyuka	1414°C, 1687.15 K
Kuchemka	3265°C, 3538.15 K
Msongamano wa 300K	2.329 g/cm³
Upinzani wa ndani	3.2E5 Ω-cm
Nambari ya CAS	7440-21-3
Nambari ya EC	231-130-8

CZ au MCZ Kaki ya Silicon Moja ya KiooUendeshaji wa aina ya n na p katika Shirika la Western Minmetals (SC) unaweza kuwasilishwa kwa ukubwa wa kipenyo cha 2, 3, 4, 6, 8 na 12 inchi (50, 75, 100, 125, 150, 200 na 300mm), mwelekeo <100>, <110>, <111> yenye umaliziaji wa uso wa kama-iliyokatwa, unaoning'inia, ulionaswa na kung'aa kwenye kifurushi cha kisanduku cha povu au kaseti yenye kisanduku cha katoni nje.