Gallium Arsenide GaAs

Maelezo

Gallium ArsenideGaAs ni a semicondukta ya kundi la III-V iliyosanifiwa kwa angalau 6N 7N ya usafi wa hali ya juu na kipengele cha arseniki, na fuwele iliyokuzwa na VGF au mchakato wa LEC kutoka kwa usafi wa hali ya juu wa arsenidi ya polycrystalline gallium, mwonekano wa rangi ya kijivu, fuwele za ujazo zenye muundo wa zinki-blende.Kwa kutumia dawa za kuongeza nguvu mwilini za kaboni, silicon, tellurium au zinki ili kupata aina ya n au p-aina ya kuhami mtawalia, kioo cha InAs silinda kinaweza kukatwa vipande vipande na kutengenezwa kuwa tupu na kaki kwa kukatwa, kukatwa, kung'olewa, kung'arishwa au epi. -tayari kwa ukuaji wa epitaxial wa MBE au MOCVD.Kikaki cha Gallium Arsenide kinatumika kutengeneza vifaa vya kielektroniki kama vile diodi zinazotoa mwanga wa infrared, diodi za leza, madirisha ya macho, FET za transistors zenye athari ya shambani, laini za IC za kidijitali na seli za jua.Vipengee vya GaAs ni muhimu katika masafa ya hali ya juu ya redio na utumizi wa kubadili umeme kwa haraka, programu za ukuzaji wa mawimbi dhaifu.Zaidi ya hayo, sehemu ndogo ya Gallium Arsenide ni nyenzo bora kwa ajili ya utengenezaji wa vipengele vya RF, mzunguko wa microwave na ICs monolithic, na vifaa vya LEDs katika mifumo ya mawasiliano ya macho na udhibiti kwa uhamaji wake wa kueneza wa ukumbi, nguvu ya juu na utulivu wa joto.

Uwasilishaji

Gallium Arsenide GaAs at Western Minmetals (SC) Corporation inaweza kutolewa kama donge la polycrystalline au kaki moja ya fuwele katika kaki iliyokatwa, iliyochongwa, iliyong'ashwa, au epi-tayari ya ukubwa wa 2" 3" 4" na 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) kipenyo, pamoja na aina ya p, aina ya n au nusu-insulating conductivity, na <111> au <100> mwelekeo.Vipimo vilivyobinafsishwa ni kwa suluhisho kamili kwa wateja wetu ulimwenguni kote.